英特尔(Intel)和意法半导体(ST)共同宣布，已可开始为客户提供相变化内存(PhaseChangeMemory，PCM)内存的原型样品。两家公司表示，这是市场上首次有具PCM功能的原型样品能提供给客户进行评估测试，此举让相变化内存技术向商业化的目标更迈进了一步。

    这款代号为“Alverstone”的芯片采用相变化内存技术，号称能以低于传统闪存的功耗来提供极高的读写速度，并且能实现一般在RAM内存才看得到位可变性(bitalterability)能力。相变内存长久以来一直是内存技术研发的一个热门话题，而“Alverstone”内存芯片的诞生，意味着这项技术将加速进入商业化的阶段。

    意法和英特尔的技术人员稍早前在国际固态电路大会(InternationalSolidStatesCircuitConference，ISSCC)上，发表了关于相变化内存技术其它重大突破的一篇研究论文。两家公司合作开发并展示了全球第一款采用PCM技术的高密度多层单元(MLC)芯片。

    该技术从每单元只能储存一个位进展到多层单元的突破，让此内存技术能以更高的密度来降低每Mbyte储存量的成本，因此多层单元和相变内存两大技术的结合在内存技术的发展上是一项重大的进展。

    英特尔和意法是在2003年时成立相变化内存的合作开发计画(JDP)。在2004年的超大规模集成电路研讨会(VLSI)上，此JDP团队展示了采用180奈米制程的8Mb内存数组，并在2006年的VLSI研讨会上率先发布了采用90奈米制程的128MbAlverstone相变内存芯片。

    意法、英特尔以及FranciscoPartners已在2007年5月签订合资协议，共同成立了一家独立的半导体公司──Numonyx，“Alverstone”和未来JDP的产品都将移转给这家新公司。

    Numonyx主要的营运方针将提供非挥发性内存解决方案，以因应如手机、MP3播放器、数字相机、计算机和其它高科技设备等各种消费性及工业电子产品的应用需求。三家公司预计将于2008年第一季完成此项交易。

    根据市场研究公司Web-Feet的报告指出，2007年动态随机存取内存(DRAM)、闪存(Flash)和电子可抹除可编程只读存储器(EEPROM)等内存的市场总值达610亿美元。内存技术的成本遵循摩尔定律在下降，也就是随着光微影技术的每一次缩减，内存的密度每隔18个月就提升一倍。

    不过在今后十年内，RAM和Flash技术将会面临特征尺寸缩减的门槛，因此相变化内存可望以更快的速度降低成本。相对于今日的技术，多层单元相变化内存的问世将会进一步加速相变内存技术每位成本的下降速度。

    此外，因相变化内存集合DRAM的位可变性、Flash的非挥发性、NOR的快速读取特性和NAND的快速写入特性于一身，能够满足整个内存市场的各种需求，可望成为今后10年推展市场成长的一个主要动力。

    Alverstone是一款采用90奈米制程的128Mb相变内存，其设计目的是让内存客户能评估相变内存的性能，也让手机和嵌入式系统客户能更了解相变内存技术，以及如何将相变内存建置在他们未来的系统设计当中。